Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Christina Junitz
Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Infineon Technologies erringt mehrere juristische Siege gegen Innoscience in Streitigkeiten um Galliumnitrid-Technologie (GaN)
In Rechtsstreitigkeiten um die für Hochleistungs- und energieeffiziente Stromsysteme in verschiedenen Branchen entscheidende GaN-Technologie hat Infineon Technologies in mehreren Verfahren gegen Innoscience Recht bekommen. Die Fälle wurden sowohl in Deutschland als auch in den USA verhandelt, wobei die Gerichte jeweils zugunsten von Infineon entschieden.
In Deutschland urteilte das Landgericht München in zwei Patentverletzungsverfahren zu Gunsten von Infineon. Das Gericht untersagte Innoscience zudem die Herstellung, den Verkauf oder die Vermarktung von GaN-Produkten, die gegen Infineons Patente verstoßen. Darüber hinaus wurde Innoscience verpflichtet, Infineon Schadensersatz aufgrund der Urteile zu zahlen.
In den USA stellte die Internationale Handelskommission (ITC) fest, dass Innoscience ein GaN-Patent von Infineon verletzt hatte. Dies ist bereits der vierte verlorene Prozess von Innoscience gegen Infineon – drei in Deutschland und einer in den USA.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Sparten bei Infineon, betonte die Bedeutung der Urteile. Diese unterstreichen seiner Aussage nach die Stärke des GaN-Patentportfolios von Infineon, das rund 450 Patentfamilien umfasst. Das Unternehmen bleibe entschlossen, sein geistiges Eigentum im GaN-Markt zu schützen.
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Die Urteile bestätigen Infineons führende Position in der GaN-Technologie. Innoscience muss nun den gerichtlichen Anordnungen nachkommen, darunter die Einstellung der Produktion und des Vertriebs der patentverletzenden Produkte in Deutschland. Die Ergebnisse festigen Infineons Vorreiterrolle bei der Entwicklung und dem Schutz von GaN-Innovationen.
